Hubei每日加工设备的陶瓷基座（记者Li Yuan，通讯员Zhu Lingyan，内部Xing Yixu）的直径为8英寸，碳化物金银1厘米。工作人员在计算机屏幕上点击，设备开始，激光头沿着铸锭的边缘对应。 15分钟后，切割了500微厚的碳化硅。 7月21日，中国科学技术大学的一间洁净室，山谷谷科技大学，硅半导体（Wuhan）有限公司，有限公司，在中国科学技术大学的清洁厅里。 ，有限公司（以下名称为“ Shiron”），生产线的容量已满，并且硅碳水化合物晶圆逐渐从线路上消除。碳化硅是由第三代组成的半导体材料。与传统的单晶硅相比，用碳化硅制成的芯片可以稳定在高压和高温下。新的能源GY车辆将具有越来越多的负载电压，更长的负载范围，碳化硅将成为新能源车产业的“新最喜欢”。碳化硅碳化物将原材料更改为炸薯条，并遭受诸如金条生长，切割，晶片抛光，光刻，包装测试等的过程。将玻璃金条很好地切入晶片的能力将迅速取决于整个工业硅芯片的总体效率。过去，在直径100微米的钻石电缆中进行了碳化物硅胶金条，该过程就像用刀切胡萝卜。在1厘米的碳化物厚的舱底中，可以剪下10,5,5,5,500微米的厚度，用钻石电缆剪裁，但每次足迹都需要一天的时间，碳化物损失率为50％。碳化硅罐的价格可以达到六位数。这意味着削减的晶片越多，芯片的成本越低，公司产品的竞争力就越高。与Rapid Develo在我国，新的能源车产业的措施，对碳化硅芯片的需求急剧增加，钻石电缆切割方法的缺陷正在花费时间，并且材料的强度越来越明显，并且迫切需要用新技术替换它。近年来，碳化硅晶圆技术现已可用。激光被称为“更快的刀”，但是当它们在碳化硅上作用时，它们并不是传统意义上的“切割”，但是它们在铸锭内部集中了十亿次，使用能量来改变硅碳纤维的结构，这使得晶片可以从Ingot中“ PELE”“ Pele”。用虚拟的话来说，仿佛太阳浸入了一个人的皮肤。为了确保晶圆的厚度均匀，必须在相同的深度击败所有十亿个进近点。这在激光器的精确控制中提出了巨大的挑战。为此，硅已经开发了激光系统杂交光源。经过成千上万的测试，它与获得专利技术的“自由表面晶片”一致。在各种创新技术的支持下，该设备已成为“三头和六个武器”。这可以精确控制激光方法，以达到100微米至1000微米的范围，从而满足了不同厚度的硅碳化物晶片的生产需求。该系统提供从硬件到软件的100％自主控制能力。 1厘米的比分可以切割15-16粒500微米厚的晶片，并且已经表明，单个尖端的切割时间仅需15分钟。与钻石切割方法相比，一件切割损失从500微米减少到75微米，玻璃损失损失损失降低到15％，一个碎片晶圆成本降低了20％以上，收益率大于99％。它的技术指标与由国民的深圳平台开发的类似技术不同第三代Emiconductor技术创新中心。两者都达到了主要的国际水平。今年5月，Optics Valley的第一线减少碳化物晶片的产量发生在Optics Valley中，该河谷的年能量超过30,000辆。目前，Silai与许多国家硅碳化物链合作。将来，将建立武汉的四到五个新生产线，预计年产量将超过10亿元。统计数据显示，它吸引了50多家公司在碳化硅所在的复合半导体领域，并且已经实施了许多重要项目，包括先进的稀有材料和Changfei Pilot，收集了30,000多个创新人才。从研发，试点到大规模生产，形成覆盖完整工业链的材料和包装设备，已经建立了一个工业生态系统。